# Глава 2. Тестовые задания для текущего контроля

***********

1. Как называют МДП-транзисторы:

A) униполярными

B) автоматными

C) амперными

D) вольтамперными

E) тиристорными

***********

2. Какие транзисторы называют униполярными:

A) полевые транзисторы

B) биполярны е транзисторы

C) амперные транзисторы

D) МДП-транзисторы

E) вольтамперные транзисторы

***********

3. Какие преимущества перед биполярными транзисторами имеют МДП – транзисторы?

A) малый уровень тока, большая стойкость к свету

B) малый уровень света, большая стойкость к току

C) малый уровень шумов, большая стойкость к радиационным излучениям

D) малый уровень шумов, большая стойкость к току

E) малый уровень шумов, большая стойкость к свету

***********

4. Какие преимущества перед биполярными транзисторами имеют МДП – транзисторы?

A) малый уровень тока, большая стойкость к свету

B) малый уровень света, большая стойкость к току

C) малый уровень шумов, большая стойкость к току

D) устойчивость от перегрузок по току, высокое входное сопротивление

E) малый уровень шумов, большая стойкость к свету

***********

5. С колько электродов имеет МДП – транзистор:

A) восемь

B) два

C) три

D) пять

E) четыре

***********

6. Какие транзисторы имеют четыре электрода:

A) полевые транзисторы

B) биполярны е транзисторы

C) амперные транзисторы

D) МДП-транзисторы

E) вольтамперные транзисторы

***********

7. МДП - транзисторы имеют четыре электрода, которые называют:

A) импульсом, стоком, диодом и тиристором

B) истоком, стоком, затвором и подложкой

C) истоком, тиристором, затвором и подложкой

D) диодом, стоком, затвором и подложкой

E) истоком, стоком, затвором и подложкой

***********

8. Укажите упрощенную конструкцию МДП - транзистора с индуцированным каналом p-типа:

A)

B)

C)

D)

E)

***********

9. Укажите условное обозначение МДП - транзистора с индуцированным каналом p-типа:

A)

B)

C)

D)

E)

***********

10. Какому из ниже указанных устройств принадлежит эта схема?

A) Полевые транзисторы

B) Биполярные транзисторы

C) МДП транзисторов

D) Телисторы

E) Составные транзисторы

***********

11. Дайте характеристику схемы МДП транзистора

A) Выходная вольт-амперная

B) Входная вольт-амперная

C) р-n переходом

D) полевых транзисторов

E) ни один из ответов не правильный

***********

12. Чем МДП – транзисторы отличаются от биполярных транзисторов

A) работа механизма МДП – транзисторов основан на перемещении только основных носителей заряда.

B) действия МДП - транзистора основан на эффекте изменения электропроводности поверхностного слоя полупроводника

C) Существуют две разновидности МДП - транзисторов

D) Поскольку ток в канале МДП - транзистора может возникать и при нулевом смещении на затворе.

E) Правильного ответа нет

***********

13. Определите схему

A) МДП - транзистор с индуцированным каналом p-типа

B) МДП - транзистор с индуцированным каналом n-типа

C) Принцип работы МОП-транзистора

D) Транзисторы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник (МДП)

E) Нет правильного ответа

***********

14. Определите схему

A) Схема составного транзистора

B) схема МДП транзистора

C) Схема полевого транзистора

D) схема биполярного транзистора

E) Тиристоры

15. Для чего применяются составные транзисторы?

A) Для построения мощных блоков питания.

B) Для улучшения стабилизации тока.

C) Часто при проектировании электронных устройств требуется получить коэффициент передачи тока порядка нескольких тысяч, для этого применяются соответствующие транзисторы.

D) Для питания мощной нагрузки

E) Для улучшения коэффициента стабилизации

***********

16. Определите схему

A) с заземленной нагрузкой

B) с незаземленной нагрузкой

C) Выходная вольт-амперная

D) Входная вольт-амперная

E) правильного ответа нет

***********

17. Определите ниже указанную схему

A) схема с незаземленной нагрузкой

B) схема с заземленной нагрузкой

C) Выходная вольт-амперная

D) Входная вольт-амперная

E) правильного ответа нет

***********

18. К какому из ниже перечисленных вариантов принадлежит эта схема?

A) схема с заземленной нагрузкой

B) входная вольт-амперная

C) Схема составного транзистора при наличии мощных транзисторов

D) нет правельных ответов

E) схема с не заземленной нагрузкой

***********

19. В каком режиме работает транзистор в цифровой технике?

A) ключевом

B) в неидеальном

C) коэффициентном

D) составном

E) нет правильного ответа

***********

20. Для чего предназначена ключевая схема транзистора?

A) Для улучшения стабилизации тока

B) для коммутации (переключения) тока в нагрузке

C) Для построения мощных блоков питания

D) Для питания мощной нагрузки

E) Для улучшения коэффициента стабилизации

***********

21. Если идеальный ключ транзистора должен находиться в разомкнутом состоянии, то его сопротивление равно…

A) равно нулю

B) равно одному

C) бесконечно велик

D) неравен нулю

E) нет правильного ответа

***********

22. Если идеальный ключ находиться в замкнутом состоянии, то его сопротивление

A) равно нулю

B) равно одному

C) бесконечно велик

D) неравен нулю

E) нет правильного ответа

***********

23. Что определяет точка А на схеме с полевым транзистором ?

A) Точка А определяет состояние схемы при замкнутом состоянии

B) Точка А определяет состояние схемы при разомкнутом состоянии

C) Точка А определяет состояние схемы при замкнутом и при разомкнутом состоянии

D) Точка А и В определяет состояние схемы при разомкнутом состоянии

E) нет правильного ответа

***********

24. Что определяет точка В на в схеме полевого транзистора ?

A) Точка В определяет состояние схемы при замкнутом состоянии

B) Точка В определяет состояние схемы при разомкнутом состоянии

C) Точка В определяет состояние схемы при замкнутом и при разомкнутом состоянии

D) Точка А и В определяет состояние схемы при разомкнутом состоянии

E) нет правильного ответа

***********

25. Если неидеальный ключ в схеме полевого транзистора в разомкнутом виде, то его сопротивление

A) бесконечно велик

B) равен нулю

C) меньше единицы

D) небольшое, но внутреннее

E) не бесконечно большое, а конечным сопротивлением изоляции

***********

26. Если неидеальный ключ в схеме полевого транзистора в замкнутом виде, то его сопротивление

A) бесконечно велик

B) равен нулю

C) меньше единицы

D) небольшое, но внутреннее

E) не бесконечно большое, а конечным сопротивлением изоляции

***********

27. Дайте определение идеальному источнику тока?

A) это схема обеспечивающая постоянный ток в нагрузке, не зависящий от падения напряжения на нагрузке.

B) Заземленной нагрузкой

C) Незаземленной нагрузкой.

D) Схема источника тока с заземленной нагрузкой

E) Для улучшения коэффициента стабилизации вместо транзистора используется.

***********

28. С какой нагрузкой может быть источник тока?

A) Только заземленной нагрузкой

B) Незаземленной нагрузкой и з аземленной нагрузкой

C) Только незаземленной нагрузкой

D) Параметрической нагрузкой

E) Стабилитронной нагрузкой

***********

29. Какой диапазон тока нагрузки имеют стабилизаторы?

A) 60мА

B) 40мА

C) 30мА

D) не больше 20 мА

E) 50мА

***********

30. Назовите указанную схему ?

A) Схема с составным эмиттерным повторителем.

B) Схема дифференциального усилительного каскада

C) Схема источника тока с заземленной нагрузкой

D) Схема источника тока с не земленной нагрузкой

E) Простейший параметрический стабилизатор напряжения

***********

31. В ф азо-инверсный каскаде в ряде случаев требуется получить сколько сигнала?

A) 4

B) 2

C) 5

D) 6

E) 3

***********

32. Фазовый - инверсный каскадтардын фазы сколько градусу смещался

A) 3000

B) 2500

C) 220

D) 2000

E) 1800

***********

33. Назавите указанную схему ?

A) Схема источника тока с заземленной нагрузкой

B) Источника тока для дифференциального усилительного каскада

C) Схема фазо-инверсного каскада

D) Схема дифференциального усилительного каскада

E) Схема с составным эмиттерным повторителем.

***********

34. Для какой цели служит фазо-инверсный каскад?

A) Евх/2 направленно в одну сторону

B) построение операционных и измерительных усилителей

C) для последующей подачи на входы дифференциального усилителя.

D) Евх/2 направлены в разные стороны.

E) Дифференциалдық күшейткішті каскад

***********

35.Объясните понятия «Синфазно»?

A) Фазо-инверсный каскад

B) операционных и измерительных усилителей

C) дифференциальн ый усилительн ый каскад

D) это когда Евх/2 направлены в разные стороны.

E) это когда Евх/2 направленно в одну сторону

***********

36. Объясните понятия «Дифференциально»?

A) Фазо-инверсный каскад

B) операционных и измерительных усилителей

C) дифференциальн ый усилительн ый каскад

D) это когда Евх/2 направленно в одну сторону

E) это когда Евх/2 направлены в разные стороны

***********

37. Для чего служит фазо-инверсный каскад?

A) это когда Евх/2 направленно в одну сторону

B) для последующей подачи на входы дифференциального усилителя.

C) операционных и измерительных усилителей

D) это когда Евх/2 направлены в разные стороны

E) дифференциальн ый усилительн ый каскад

***********

38. Достоинства усилительных схем на полевых транзисторах:

А Снижение входного сопротивления происходит из-за паразитных емкостей

B) С помощью двух резисторов задается напряжение ток-исток

C) Это большое входное сопротивление по постоянному току и в области нижних частот ив области высоких частот

D) Это большой технологический разброс параметров для транзисторов одного типа

E) Это большое входное сопротивление по постоянному току и в области нижних частот ив области высоких частот

***********

39. Недостаток схем на полевых транзисторах:

A) Снижение входного сопротивления происходит из-за паразитных емкостей

B) С помощью двух резисторов задается напряжение ток-исток

C) В области высоких частот входное сопротивление

D) Это большое входное сопротивление по постоянному току и в области нижних частот ив области высоких частот

E) это большой технологический разброс параметров для транзисторов одного типа

***********

40. Б ольшой технологический разброс параметров для транзисторов одного типа

A) С помощью двух резисторов задается напряжение ток-исток

B) С опротивления происходит из-за паразитных емкостей

C) погрешности оборудования

D) недостатки усилительных схем на полевых транзисторах

E) Достоинства усилительных схем на полевых транзисторах

***********

41. Это большое входное сопротивление по постоянному току и в области нижних частот ив области высоких частот

A) С помощью двух резисторов задается напряжение ток-исток

B) С опротивления происходит из-за паразитных емкостей

C) погрешности оборудования

D) Достоинства усилительных схем на полевых транзисторах

E) недостатки усилительных схем на полевых транзисторах

***********

42.Резисторы делятся на сколько типов:

A) 5

B) 4

C) 2

D) 8

E) 3

***********

43.Какие резисторы служат для многократного изменения сопротивления

A) постоянные

B) переменные

C) условные

D) построечные

E) главные

***********

44.Какие резисторы служат для однократного изменения сопротивления при отладке

A) переменные

B) главные

C) построечные

D) абстрактные

E) постоянные

***********

45.Покажите условно графическое обозначение постоянного резистора

A)

B)

C)

D)

E)

***********

46.Покажите условно графическое обозначение переменного резистора

A)

B)

C)

D)

E)

***********

47.Покажите условно графическое обозначение построечного резистора

A)

B)

C)

D)

E)

***********

48.Основные классы резисторов делятся на сколько типов?

A) 4

B) 6

C) 3

D) 5

E) 2

***********

49.Какие основные классы резисторов существуют

A) проволочные и непроволочные

B) углеродистые и металлопленочные

C) бороуглеродистые и углеродистые

D) магнитные и немагнитные

E) магнитные и проволочные

***********

50.Непроволочные делятся на сколько типов?

A) 4

B) 2

C) 1

D) 3

E) 6

***********

51.Сопротивление проволочных резисторов находится в каких пределах?

A) в пределах от долей Ома до сотен Ом

B) в пределах от десяти Ома до сотен Ом

C) в пределах от двадцати Ома до пятидесяти Ом

D) в пределах от пятнадцати Ома до сотен Ом

E) в пределах от долей Ома до пятидесяти Ом

***********

52.Сопротивление непроволочных резисторов обычно превышает

A) 10 Ом

B) 20 Ом

C) 15 Ом

D) 5 Ом

***********

53.Конденсаторы делятся на сколько типов:

A) 3

B) 4

C) 5

D) 6

E) 2

***********

54.К какому типу относятся полярные и неполярные конденсаторы

A) постоянные

B) непостоянные

C) переменные

D) построечные

E) не постоянные

***********

55.Укажите 3 типа конденсаторов

A) построечные, не построечные, полярные

B) построечные, переменные, постоянные

C) построечные, постоянные, неполярные

D) полярные, неполярные, переменные

E) переменные, полярные, постоянные

***********

56.Покажите условно графическое обозначение постоянного конденсатора

A)

B)

C)

D)

E)

***********

57.Покажите условно графическое обозначение построечного конденсатора

A)

B)

C)

D)

E)

***********

58.Параметры конденсаторов бывают…

A) разные

B) главные

C) добавочные

D) условные

E) графические

***********

59.Найдите номинальное значение емкости конденсаторов.

A) С (Ф)

B) С, (Т)

C) С, [Ф]

D) С, (Л)

E) С, (E)

***********

60.Что обозначает U, [Вт] в конденсаторах.

A) номинальное значение емкости

B) температурный коэффициент емкости

C) максимальное амплитудное напряжение

D) отклонение от значения емкости

E) максимальное рабочее напряжение

***********

61.Рабочее напряжение в конденсаторах обычно составляет…

A) от 5 В до 1 кВ

B) от 7 В до 2 кВ

C) от 10 В до 1 кВ

D) от 1 В до 5 В

E) от 5 В до 10 кВ

***********

62. Температурный коэффициент в конденсаторах может быть…

A) только положительным

B) только отрицательным

C) как положительным, так и отрицательным

D) максимальным

E) только максимальным

***********

63. Конденсаторы разделяются на типы в зависимости…

A) от диэлектрика

B) от электрона

C) от атомов

D) от функции

E) от емкости

***********

64. В зависимости от диэлектрика конденсаторы разделяются на типы…

A) керамические

B) слюдяные

C) фторопластовые

D) бумажные

E) все

***********

65. Какие конденсаторы составляют основную разновидность?

A) диэлектрические

B) электрические

C) проводниковые

D) проволочные

E) электролитические

***********

66. Номинальное значение конденсатора измеряется в

A) пФ 10-12 , нФ 10-9 , мкФ 10-6

B) пФ 10+9, нФ 10-9, мкФ 10-6

C) пФ 10-13, нФ 10-9, мкФ 10-7

D) пФ 10-9, нФ 10-8, мкФ 10-6

E) пФ 10-5, нФ 10-9, мкФ 10-6

***********

67. Промышленность выпускает постоянные сопротивления строго в соответствии с рядом…

A) допустимого отклонения

B) температурного коэффициента

C) резистивного элемента

D) максимальной мощности

E) номинального значения сопротивления

***********

68.Укажите наиболее распространенный ряд резисторов?

A)

B) Е 30

C) Е 96

D) Е48

E) Е12

***********

69. Чем больше рассеиваемая мощность…

A) тем больше величина резистора

B) тем больше величина конденсатора

C) тем больше величина сопротивления

D) тем больше величина амплитуды

E) тем больше величина емкости

***********

70. Отклонение от значения емкости резистора

A) С, [Ф]

B) U, [Вт]

C) Р, [Вт]

D) Р, [Вт]

E)

***********

71. Чем больше допустимое отклонение

A) тем дороже резистор

B) тем больше величина конденсатора

C) тем больше величина сопротивления

D) тем больше величина амплитуды

E) тем больше величина емкости

***********

72. Наиболее распространенный числовой ряд

A) 0,25 Вт; 0,5 Вт; 1,0 Вт; 2,0 Вт

B) 1,0 Вт; 2,0 Вт

C) 0,125 Вт; 0,25 Вт; 0,5 Вт; 1,0 Вт; 2,0 Вт.

D) 0,5 Вт; 1,0 Вт; 2,0 Вт

E) 0,125 Вт; 0,25 Вт; 2,0 Вт.

***********

73. Допустимое отклонение сопротивления от номинала выбирается из следующего числового ряда

A)

B)

C)

D)

E)

***********

74. Температурный коэффициент сопротивления измеряется

A) в долях процента

B) в долях процента на градус

C) в долях градуса

D) сопротивления

E) все

***********

75. Допустимое отклонение от номинального значения емкости конденсатора:

A)

B)

C)

D)

E)

***********

76. В зависимости от диэлектрика конденсаторы разделяются на

A) 4

B) 6

C) 3

D) 5

E) 2

***********

77. Укажите 3 типа конденсаторов

A) построечные, не построечные, полярные

B) построечные, переменные, постоянные

C) построечные, постоянные, неполярные

D) полярные, неполярные, переменные

E) переменные, полярные, постоянные

***********

78. Чем больше рассеиваемая мощность

A) тем больше величина резистора

B) тем больше величина конденсатора

C) тем больше величина сопротивления

D) тем больше величина амплитуды

E) тем больше величина емкости

***********

79. Промышленность выпускает постоянные сопротивления строго в соответствии с рядом

A) допустимого отклонения

B) температурного коэффициента

C) резистивного элемента

D) максимальной мощности

E) номинального значения сопротивления

***********

80. Гибридные микросхемы были одним из первых этапов на пути…

A) миниатюризации изделий электронной техники

B) миниатюризации изделий радиоэлектронной техники

C) миниатюризации изделий электронной техники

D) миниатюризации изделий

E) миниатюрных полупроводников

***********

81. Микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется…

A) получить элементы очень маленьких размеров

B) получить конденсаторы или резисторы, или рассеять большую мощность

C) получить элементы больших размеров

D) получить устройства

E) получить только конденсаторы

***********

82. Использование гибридных ИМС позволяет создавать…

A) цифровые устройства

B) аналоговые устройства

C) цифровые и аналоговые устройства

D) многослойные

E) различные устройства

***********

83. При производстве гибридных ИМС используется…

A) тонкопленочная или толстопленочная технология

B) достаточно большие габаритные размеры

C) цифровые и аналоговые устройства

D) схемотехнические и конструктивные возможности

E) проволочные и непроволочные.

***********

84. Тонкие пленки наносятся одним из следующих методов:

A) термическое напыление

B) плазменное напыление

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) все

***********

85. Пасты позволяют получать методом

A) ионно-плазменного напыления

B) термического напыления

C) продавливания

D) реактивного напыления

E) шелкографии или сеткографии

***********

86. Минимальная ширина пленочных проводников (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 50-90

B) 150-300

C) 30-50

D) 10-100

E) 50-100

***********

87. Минимальная ширина пленочных проводников (мкм) в толстопленочной технологии

A) 50-90

B) 150-300

C) 30-50

D) 10-100

E) 50-100

***********

88. Минимально допустимое расстояние между краем пленочного элемента и краем платы (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 50-300

B) 150-300

C) 30-50

D) 200-500

E) 50-100

***********

89. Минимально допустимое расстояние между краем пленочного элемента и краем платы (мкм) в толстопленочной технологии

A) 100

B) 150-300

C) 30-50

D) 100-300

E) 50-100

***********

90. Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 100

B) 150-300

C) 30-50

D) 100-300

E) 50-100

***********

91. Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (мкм) в толстопленочной технологии

A) 100

B) 150-300

C) 30-50

D) 100-300

E) 50-300

***********

92. Минимально допустимая ширина пленочных резисторов (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 50-90

B) 150-300

C) 800

D) 10-100

E) 50-100

***********

93. Минимально допустимая ширина пленочных резисторов (мкм) в толстопленочной технологии

A) 50-80

B) 150-300

C) 800

D) 20-100

E) 50-90

***********

94. Номинальные значения пленочных резисторов в толстопленочной технологии

A) <10

B) >50 Ом

C) 25 Ом - 1 МОм

D) >10

E) >15

***********

95. Номинальные значения пленочных конденсаторов в тонкопленочной технологии

A) >100нФ

B) >50 Ом

C) 25 Ом - 1 МОм

D) >10

E) 50-250пФ

***********

96. Номинальные значения пленочных конденсаторов в толстопленочной технологии

A) >100нФ

B) >50 Ом

C) 25 Ом - 1 МОм

D) >10

E) 50-250пФ

***********

97. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) термическое напыление

B) получение подложки

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) плазменное напыление

***********

98. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) Очистка подложки от химических и физических загрязнений

B) достаточно большие габаритные размеры

C) цифровые и аналоговые устройства

D) схемотехнические и конструктивные возможности

E) проволочные и непроволочные.

***********

99. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) термическое напыление

B) Установка и распайка компонентов

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) плазменное напыление

***********

100. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) термическое напыление

B) Контроль и подгонка резисторов

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) плазменное напыление

***********

101. Основные операции при производстве гибридных ИМС:

A) получение подложки и очистка подложки от химических и физических загрязнений

B) нанесение резистивной пленки, нанесение проводящей пленки и фотолитография и травление

C) реактивное напыление, контроль и подгонка резисторов и установка и распайка компонентов

D) установка платы в корпус и распайка выводов, герметизация и выходной контроль

E) все

***********

102. Какая технология применяется с успехом

A) переменная

B) тонкопленочная

C) толстопленочная

D) проволочная

E) диэлектрическая

***********

103. Что создает сочетание полупроводниковых ИМС и многослойных гибридных ИМС

A) широкие схемотехнические и конструктивные возможности

B) аналоговые устройства

C) шелкографию или сеткографию

D) проволочную и непроволочную

E) конденсаторов большой емкости

***********

104. Что взят в основу производства гибридных ИМС, используемый на Речицком заводе «РИТМ»:

A) основные операции

B) технологический процесс

C) процесс производства

D) герметизация

E) фотолитография

***********

105. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) термическое напыление

B) получение подложки

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) плазменное напыление

***********

106. Что создает сочетание полупроводниковых ИМС и многослойных гибридных ИМС

A) широкие схемотехнические и конструктивные возможности

B) аналоговые устройства

C) шелкографию или сеткографию

D) проволочную и непроволочную

E) конденсаторов большой емкости

***********

107. Назовите одну из основных операции при производстве гибридных ИМС

A) термическое напыление

B) Контроль и подгонка резисторов

C) реактивное напыление

D) ионное напыление

E) плазменное напыление

***********

108. Интегральная микроэлектроника продолжает развиваться в направлении повышения степени интеграции микросхем за счет

A) термического напыления

B) увеличения кристалла, так и за счёт уменьшения количества элементов

C) реактивного напыления

D) ионного напыления

E) плазменного напыления

***********

109. В современных БИС и СБИС размер элементов

A) 2-3 мкм

B) 3-4 мкм

C) 4-5 мкм

D) 5-6 мкм

E) 3-5 мкм

***********

110. В одном технологическом процессе на одном кристалле изготавливаются все элементы ИМС, то с точки зрения оценки надёжности все элементы ИМС можно рассматривать как

A) один прибор

B) технику

C) два устройства

D) один кристалл

E) 1 элемент

***********

111. На сколько биполярная технология сложнее МПД технологии

A) 40%

B) 50%

C) 15%

D) 30%

E) 35%

***********

112. Укажите достоинства биполярной технологии

A) быстродействие

B) надежность

C) не требуется изоляция

D) функциональная сложность

E) не функциональная сложность

***********

113. Укажите достоинства МПД технологии

A) большой процент выхода годных схем

B) высокая надежность и малое электропотребление

C) не требуется изоляция

D) большая функциональная сложность

E) все

***********

114. При производстве полупроводниковых ИМС используются

A) большой процент выхода годных схем

B) высокая надежность и малое электропотребление

C) изоляция

D) создание областей различного типа проводимости и резка кристалла на пластины

E) большая функциональная сложность

***********

115. При производстве полупроводниковых ИМС используются

A) большой процент выхода годных схем

B) получение слитка монокристалла кремния, монтаж в корпус и герметизация

C) изоляция

D) высокая надежность и малое электропотребление

E) большая функциональная сложность

***********

116. При производстве полупроводниковых ИМС используются

A) большой процент выхода годных схем

B) изоляция

C) резка на кристаллы и металлизация

D) высокая надежность и малое электропотребление

E) большая функциональная сложность

***********

117. Для производства полупроводниковых микросхем используются

A) большой процент выхода годных схем

B) изоляция

C) высокая надежность и малое электропотребление

D) элементарные полупроводники и различные их соединения

E) функциональная сложность

***********

118. В качестве материалов для акцепторной примеси полупроводниковых микросхем используются?

A) элементы 3-ей группы

B) изоляция

C) резка на кристаллы и металлизация

D) малое электропотребление

E) элементы 4-й группы

***********

119. К элементам 3-й группы примесей полупроводниковых микросхем относятся

A) магнит, гелий, фосфор

B) алюминий, мышьяк

C) висмут, сурьма, индий

D) бор, гелий, галий

E) бор, галлий, алюминий, индий

***********

120. К элементам 5-ой группы примесей полупроводниковых микросхем относятся

A) магнит, гелий, фосфор

B) сурьма, мышьяк, висмут, фосфор

C) висмут, сурьма, индий

D) бор, гелий, галий

E) алюминий, мышьяк

***********

121. Поликристаллический кремний непригоден для производства

A) донорной примеси

B) полупроводников

C) микросхем

D) интегральных микросхем

E) дислокации

***********

122. Ведутся исследования по освоению нанотехнологий полупроводниковых микросхем и их…

A) субмикронных размеров

B) технологических процессов.

C) случайных дефектов

D) электронной литографии

E) Все

***********

123. В современных БИС и СБИС размер элементов 2-3 мкм. В ближайшем будущем оно достигнет

A) 5 мкм

B) 6 мкм

C) 4 мкм

D) 1 мкм

E) 10 мкм

***********

124. Число элементов на одном кристалле (Биполярные ИМC)?

A) 0,08 - 0,75

B) (1 - 5) . 105

C) 800 1,5 - 5

D) 1,5 х 2,2

E) (2 - 5) . 104

***********

125. Количество фотолитографий (Биполярные ИМC)?

A) 6-10

B) (1 - 5) . 105

C) 800 1,5 - 5

D) 6-8

E) (2 - 5) . 104

***********

126. Количество фотолитографий (МДП ИМC)?

A) 6-10

B) (1 - 5) . 105

C) 800 1,5 - 5

D) 6-8

E) (2 - 5) . 104

***********

127. Меньше количества технологических операций, особенно высокотемпературных диффузии в

A) МПД технологии

B) Биполярные ИМС

C) толстопленочная

D) проволочная

E) диэлектрическая

***********

128. Высокая надежность МДП микросхем обусловлена

A) малые размеры элементов и малое энергопотребление дает возможность широко применять резервирование и мажоритарную логику даже в сложных схемах

B) меньшими размерами элементов

C) значительное уменьшение числа межэлементных соединений

D) большой процент выхода годных схем, большая функциональная сложность

E) все

***********

129. Какая технология применяется с успехом при производстве полупроводниковых микросхем?

A) переменная

B) тонкопленочная

C) толстопленочная

D) проволочная

E) диэлектрическая

***********

130. Минимально допустимое расстояние между краем пленочного элемента и краем платы (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 50-300

B) 150-300

C) 30-50

D) 200-500

E) 50-100

***********

131 Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (мкм) в тонкопленочной технологии

A) 100

B) 150-300

C) 30-50

D) 100-300

E) 50-100

***********

132. Дайте определение электронному усилителю?

A) это устройство предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный или пульсирующий.

B) это устройство, в котором управлением большой входной мощностью

управления.

C) это устройство предназначенный для стабилизации обратного напряжения.

D) это устройство с двумя p – n переходами, обладающих усилительными

свойствами.

E) это устройство проникание тока в котором обусловлено дрейфом основных носителей заряда под действием продольного поля.

***********

133. В зависимости от типа преобразования сигнала различают следующие усилители:

A) прямого усиления и усилители с преобразоватлем

B) измерительные, телевизионные и антенные усилители

C) транзисторные, ламповые и комбинированные

D) однокаскадные и многокаскадные

E) гармонические, импульсные, постоянного тока, радиотехнические, низкочастотные, промежуточно-частные, высокочастотные, широкополосные, избирательные или селективные

***********

134. По характеру усилительных сигналов различают следующие усилители:

A) однокаскадные и многокаскадные

B) транзисторные, ламповые и комбинированные

C) измерительные, телевизионные и антенные усилители

D) гармонические, импульсные, постоянного тока, радиотехнические, низкочастотные, промежуточно-частные, высокочастотные, широкополосные, избирательные или селективные

E) прямого усиления и усилители с преобр

***********

135. В зависомости от назначение различают следующие усилители:

A) однокаскадные и многокаскадные

B) измерительные, телевизионные и антенные усилители

C) гармонические, импульсные, постоянного тока, радиотехнические, низкочастотные, промежуточно-частные, высокочастотные, широкополосные, избирательные или селективные

D) прямого усиления и усилители с преобр

E) транзисторные, ламповые и комбинированные

***********

136. В зависимости от типа усилительных элементов разлчают следующиеусилители:

A) однокаскадные и многокаскадные

B) измерительные, телевизионные и антенные усилители

C) гармонические, импульсные, постоянного тока, радиотехнические, низкочастотные, промежуточно-частные, высокочастотные, широкополосные, избирательные или селективные

D) прямого усиления и усилители с преобр

E) транзисторные, ламповые и комбинированные

***********

137. По количеству усилительных каскадов различают следующие усилители:

A) однокаскадные и многокаскадные

B) измерительные, телевизионные и антенные усилители

C) гармонические, импульсные, постоянного тока, радиотехнические, низкочастотные, промежуточно-частные, высокочастотные, широкополосные, избирательные или селективные

D) прямого усиления и усилители с преобр

E) транзисторные, ламповые и комбинированные

***********

138. Усилительный каскад это -

A) это устройство проникание тока в котором обусловлено дрейфом основных носителей заряда под действием продольного поля.

B) это устройство, в котором управлением большой входной мощностью

управления.

C) это устройство предназначенный для стабилизации обратного напряжения.

D) это устройство предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный или пульсирующий.

E) это усилительный элемент с отнесенным к нему элементами связи с соседними каскадами и элементами задания рабочего режима.

***********

139. К выходным показателям электронных усилителей относят ся:

A) расчетную мощность сигнала, выходной ток в нагрузке, выходные напряжения на нагрузке, расчетное сопротивление усилителя;

B) входное напряжение, входной ток;

C) расчетную мощность сигнала, входной ток;

D) входное напряжение, расчетное сопротивление усилителя;

E) входную мощность и Z вх входное сопротивление;

***********

140. У силительный элемент с отнесенным к нему элементами связи с соседними каскадами и элементами задания рабочего режима это:

A) В ходной ток;

B) Э лектронн ый усилител ь;

C) КПД;

D) Усилительный каскад;

E) Коэ ффициент усиления;

***********************

141. Номинальные значения пленочных резисторов в тонкопленочной технологии

A) <10

B) >50 Ом

C) 25 Ом - 1 МОм

D) >10

E) >15

***********