### Оглавление

Назад | Вперед

Память

До недавнего времени развитие новых технологий изготовления компонентов памяти происходило параллельно с развитием чипсетов, производимых фирмой Intel. Но случилось так, что в 1998 году образовалось опережение в технологии изготовления чипсетов, а производители памяти отстали. Никто не мог предполагать, что 100-мегагерцовая шина так мощно расчистит себе дорогу.

В первом квартале 1998 года Intel представила чипсет i440BX с тактовой частотой системной шины 100MHZ, а также семейство материнских плат на этом чипсете со 100-мегагерцовой шиной памяти. Не сильно отстали от Intel и тайванские производители материнских плат. К лету 1998 года практически все ведущие тайванские производители имели материнские платы на чипсете i440BX, поддерживающих SLOT I и работающие на частоте 100MHZ.

Как правило, до выпуска новых платформ Intel представляет спецификации на новые чипсеты и модули памяти, но в этот раз компания несколько опоздала с разработкой спецификации на память стандарта 100MHZ.

С появлением чипсетов, работающих на частоте 100 MHZ тайванских производителей ALI ALADDIN 5 и VIA MVP3, получил вторую жизнь и Socket 7. Процессоры AMD, работающие с тактовой частотой 100 MHZ, требуют широкой полосы пропускания памяти и применения 100-мегагерцовых SDRAM. Впервые поддержка интерфейса с системной памятью SDRAM была реализована в чипсетах Intel TX и VX. Память SDRAM выпускается в модулях типа Double In Line Memory Module (DIMM). Такая организация памяти позволяет извлекать из нее 64 бита данных одновременно (64-разрядный).

Для SDRAM, работающих с чипсетами TX и VX предусматривалась тактовая частота 66 MHZ, и никто не думал, что в ближайшее время появится новый чипсет, поддерживающий частоту шины 100MHZ. Но он появился и очень скоро. Производимые SDRAM-модули могли устойчиво работать на частотах более 66MHZ, а некоторые образцы этой памяти даже сейчас работают на частоте 100MHZ. Планируя обеспечить потребности в памяти для 66-мегагерцовых систем, и придерживаясь политики Intel по поддержке таких систем, многие производители памяти произвели слишком много66-мегагерцовых SDRAM-модулей. Хотя уже год назад существовали настоящие 10- и 8-наносекундные чипы памяти SRAM, но производство 100-мегагерцовых SDRAM-модулей не форсировалось, т.к. запаздывала спецификация, получившая название РС100 и вышедшая только в феврале 1998 года.

Большинство ныне существующих чипов памяти SDRAM являются 10-ns и, по мнению Intel, они не позволяют модулю памяти устойчиво работать на частотах 100 MHZ и более, хотя их и называют 100-мегагерцовыми. Технология изготовления памяти, работающей на частоте более 100MHZ, чрезвычайно сложна и требует специального отношения ко всем элементам цифрового тракта передачи данных. Спецификация модулей памяти PC100, разработанная Intel, содержит более 250 страниц текста. Этой спецификацией Intel сильно ограничила число возможных производителей памяти, настолько высоки требования к технологии изготовления SDRAM. Спецификация памяти состоит из 4-х разделов.

Первая часть спецификации дает детальное описание компонентов чипов PC100, на основании которых строятся DIMM-модули. Вторая посвящена детальному описанию наиболее распространенного модуля памяти PC100 SDRAM Unbuffered DIMM. Третья дает представление о структуре и характеристиках специальной памяти PC100 SDRAM Registered DIMM, пока еще не получивших широкого распространения и используемых в основном только в очень сложных компьютерных системах, требующих большого объема оперативной памяти. Четвертая часть посвящена описанию интерфейса Serial Presence Detect (SPD), посредством которого процессор получает информацию о структуре установленного модуля памяти.

SDRAM PC100. Виды, характеристики, отличия.

В настоящее время в предложениях продавцов 100-мегагерцовой памяти мы можем встретить 2 класса памяти, отвечающих стандарту PC100 для применения в компьютерных системах:

PC100 SDRAM Unbuffered DIMM

PC100 SDRAM Registered DIMM.

DIMM-модули PC100 SDRAM Unbuffered , иначе называемые небуферизированными, применяются в системах, не требующих объема памяти более 768МВ и имеют конфигурацию, приведенную в таблице 1, где колонка №2 емкость модуля памяти в мегабайтах, колонка №3 организация модуля (мегабит на разряд), №4 емкость в Mbit единичного чипа, установленного на SDRAM-модуле DIMM, №5 организация чипа (мегабит на разряд), №6 общее количество чипов, установленных на SDRAM-модуле.

ТАБЛИЦА

1.

Config | DIMM Capacity | DIMM Organization | SDRAM density | SDRAM Organization | # of SDRAM
1 | 8 MB | 1M X 64 | 16 Mbit | 1M X 16 | 4
2 | 16 MB | 2M X 64 | 16 Mbit | 1M X 8 | 8
3 | 16 MB | 2M X 64 | 16 Mbit | 2M X 8 | 8
4 | 32 MB | 4M X 64 | 16 Mbit | 2M X 8 | 16
5 | 16 MB | 2M X 64 | 64 Mbit | 2M X 32 | 2
6 | 32 MB | 4M X 64 | 64 Mbit | 2M X 32 | 4
7 | 32 MB | 4M X 64 | 64 Mbit | 4M X 16 | 4
8 | 64 MB | 8M X 64 | 64 Mbit | 4M X 16 | 8
9 | 64 MB | 8M X 64 | 64 Mbit | 8M X 8 | 8
10 | 128 MB | 16M X 64 | 64 Mbit | 8M X 8 | 16
11 | 16 MB | 2M X 72 | 16 Mbit | 2M X 8 | 9
12 | 32 MB | 4M X 72 | 16 Mbit | 2M X 8 | 18
13 | 64 MB | 8M X 72 | 64 Mbit | 8M X 8 | 9
14 | 128 MB | 16M X 72 | 64 Mbit | 8M X 8 | 18
15 | 8 MB | 1M X 72 | 16 Mbit | 1M X 16 | 5
16 | 16 MB | 2M X 72 | 16 Mbit | 1M X 16 | 10
17 | 32 MB | 4M X 72 | 64 Mbit | 4M X 16 | 5
18 | 64 MB | 2M X 72 | 64 Mbit | 4M X 16 | 10
19 | 256 MB | 32 X 64 | 128 Mbit | 16M X 8 | 16
20 | 256 MB | 32M X 72 | 128 Mbit | 16M X 8 | 18
21 | 512 MB | 64M X 64 | 256 Mbit | 32M X 8 | 16
22 | 512 MB | 64 MX 72 | 256 Mbit | 32M X 8 | 18

Из таблицы 1 видно, что PC100 SDRAM-модули выпускаются как в 64-разрядном исполнении, так и в 72- разрядном (с использованием функции ЕСС) и их максимальная емкость составляет 512МВ.

Новый чипсет BX поддерживает так называемую функцию ECC (Error Correct Code), позволяющую обнаруживать и своевременно устранять одиночные ошибки в работе памяти. Подобная организация требует наличия 72 разрядов DIMM (дополнительные 8 разрядов как раз и необходимы для обеспечения функции ЕСС).

DIMM-модули стандарта PC100 SDRAM Registered выпускаются только в 72-разрядном исполнении и их емкость, на данный момент, достигает 1024МВ. Подобные типы DIMM применяются в системах, требующих более 1 GB оперативной памяти (мощные многопроцессорные серверы, специализированные системы обработки информации и т.д.) и отличаются от PC100 SDRAM Unbuffered DIMM увеличенным размером печатной платы (PCB), а также наличием специальных микросхем (Registers) на модуле. Регистры обеспечивают страничную организацию памяти.

Конфигурация DIMM-модулей стандарта PC100 SDRAM Registered приведена в таблице 2.

ТАБЛИЦА 2.

Конфигурации модуля SDRAM

Config. | DIMM Capacity | DIMM Organization | SDRAM density | SDRAM Organization | # of SDRAM
1 | 64MB | 8M X 72 | 64 Mbit | 8M X 8 | 9
2 | 128 MB | 16M X 72 | 64 Mbit | 16M X4 | 18
3 | 256 MB | 32M X 72 | 64 Mbit | 16M X4 | 36
4 | 256 MB | 32M X 72 | 128 Mbit | 32M X4 | 18
5 | 512 MB | 64M X 72 | 128 Mbit | 32M X4 | 36
6 | 512 MB | 64M X 72 | 256 Mbit | 64M X4 | 18
7 | 1024 MB | 128M X72 | 256 Mbit | 64M X4 | 36

Фото 1.

Электрические и конструктивные параметры SDRAM PC100 следующие:

Общее количество контактов DIMM-модуля 168.

Контакты разделены зонами ключей на 3 функциональные группы по 20pins, 60pins, 88pins.

Напряжение питания DIMM-модуля 3,3V.

Ширина шины данных 64 или 72bit.

4 входа для тактовых сигналов.

Структура модуля Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules.

Еще одно название такого типа синхронной памяти пакетно-конвейерная (pipelined burst). Для этого типа памяти ключевым параметром является не время доступа, а промежуток времени между запросом и появлением данных на шине (т.е. время задержки при выводе данных). Чипы SDRAM, используемые в модулях памяти PC100, выполняют по технологии, применяющейся в производстве пакетно-конвейерной кэш-памяти. Это время для большинства чипов SD RAM составляет 8ns, меньше чем продолжительность периода (при тактовой частоте 100MHZ). При объединении чипов SD RAM в структуру, называемую SDRAM DIMM, этот модуль имеет такую же скорость пакетной передачи данных, как и кэш-память, несмотря на большее время доступа.

Обязательными условиями корректного функционирования SDRAM PC100-модулей в компьютерных системах являются: 1) диапазон рабочих температур 0 +65 градусов С, 2) диапазон влажности 10%-90%.

Назначения контактов 168-pin модуля SDRAM PC100 unbuffered приведены таблице №3.

ТАБЛИЦА 3.

№ вывода | Название сигнала | № вывода | Название сигнала | № вывода | Название сигнала | № вывода | Название сигнала
1 | Vss | 43 | Vss | 85 | Vss | 127 | Vss
2 | SQO | 44 | NC | 86 | DQ32 | 128 | SKEO
3 | DQ1 | 45 | /S2 | 87 | DQ33 | 129 | /S3
4 | DQ2 | 46 | DQMB2 | 88 | DQ34 | 130 | DQMB6
5 | DQ3 | 47 | DQMB3 | 89 | DQ35 | 131 | DQMB7
6 | Vdd | 48 | NC | 90 | Vdd | 132 | A13
7 | DQ4 | 49 | Vdd | 91 | DQ36 | 133 | Vdd
8 | DQ5 | 50 | NC | 92 | DQ37 | 134 | NC
9 | DQ6 | 51 | NC | 93 | DQ37 | 135 | NC
10 | DQ7 | 52 | CB2 | 94 | DQ39 | 136 | CB6
11 | DQ8 | 53 | CB3 | 95 | DQ40 | 137 | CB7
12 | Vdd | 54 | Vdd | 96 | Vdd | 138 | Vdd
13 | DQ9 | 55 | DQ16 | 97 | DQ41 | 139 | DQ48
14 | DQ10 | 56 | DQ17 | 98 | DQ42 | 140 | DQ49
15 | DQ11 | 57 | DQ18 | 99 | DQ43 | 141 | DQ50
16 | DA12 | 58 | DQ19 | 100 | DQ44 | 142 | DQ51
17 | DQ13 | 59 | Vdd | 101 | DQ45 | 143 | Vdd
18 | Vdd | 60 | DQ20 | 102 | Vdd | 144 | DQ52
19 | DQ14 | 61 | NC | 103 | DQ46 | 145 | NC
20 | DQ15 | 62 | NC | 104 | DQ47 | 146 | NC
21 | CBO | 63 | CKE1 | 105 | CB4 | 147 | NC
22 | CB1 | 64 | Vss | 106 | CB5 | 148 | Vss
23 | Vss | 65 | DQ21 | 107 | Vss | 149 | DQ53
24 | NC | 66 | DQ22 | 108 | NC | 150 | DQ54
25 | NC | 67 | DQ23 | 109 | NC | 151 | DQ55
26 | Vdd | 68 | Vss | 110 | Vdd | 152 | Vss
27 | /WEO | 69 | DQ24 | 111 | /CAS | 153 | DQ56
28 | DQMB0 | 70 | DQ25 | 112 | DQMB4 | 154 | DQ57
29 | DQMB1 | 71 | DQ26 | 113 | DQMB5 | 155 | DQ58
30 | /S0 | 72 | DQ27 | 114 | /S1 | 156 | DQ59
31 | NC | 73 | Vdd | 115 | /RAS | 157 | Vdd
32 | Vss | 74 | DQ28 | 116 | Vss | 158 | DQ60
33 | A0 | 75 | DQ29 | 117 | A1 | 159 | DQ61
34 | A2 | 76 | DQ30 | 118 | A3 | 160 | DQ62
35 | A4 | 77 | DQ31 | 119 | A5 | 161 | DQ63
36 | A6 | 78 | Vss | 120 | A7 | 162 | Vss
37 | A8 | 79 | CK2 | 121 | A9 | 163 | SK3
38 | A10(AP) | 80 | NC | 122 | BA0 | 164 | NC
39 | BA1 | 81 | WP | 123 | A11 | 165 | SA0
40 | Vdd | 82 | SDA | 124 | Vdd | 166 | SA1
41 | Vdd | 83 | SCL | 125 | CK1 | 167 | SA2
42 | CK0 | 84 | Vdd | 126 | A12 | 168 | Vdd

NC не определен.

Следует помнить, что два небольших паза (ключи) на РСВ имеют большое значение. Ключи определяют вид DIMM-модуля. Первый ключ, расположенный между 10-м и 11-м выводами (ближе к выводу 11) идентифицирует DIMM как небуферизированный (unbuffered). Второй паз, расположенный по центру между 40-м и 41-м контактом, определяет напряжение питания модуля - 3.3V.

Предвидя сложности функционирования систем с SDRAM от разных производителей, а также для облегчения установки SDRAM в систему, Intel разработал спецификацию на последовательную (serial) EEPROM память, содержащую важнейшие временные параметры и данные об используемых на модуле чипах и их производителе. Присутствие EEPROM-памяти на DIMM-модулях, отвечающих спецификации РС100 необходимое условие, т.к. он содержит точные характеристики чипов памяти, которые необходимы BIOS для правильной конфигурации системы. При старте системы чипсет I 440BX последовательно прочитывает байты из EEPROM для идентификации модуля SDRAM и устанавливает параметры системы так, что обеспечивается корректная работа с данным видом памяти. Интерфейс передачи информации описывает спецификация PC SDRAM Serial Presence Detect (SPD) Specification. Именно с неправильным взаимодействием BIOS и EEPROM на SDRAM-модулях связаны главные проблемы при установке их в компьютерные системы.

Дело в том, что многие тайванские производители материнских плат на чипсете Intel 440BX устанавливают свой BIOS, который имеет функцию отключения считывания информации из EEPROM. При этом параметры системы устанавливаются вручную при входе в SETUP, ли же BIOS сам устанавливает параметры системы для работы с типовой памятью. Специалисты фирмы ЕПОС довольно часто сталкиваются с ситуациями, когда материнские платы (например, Intel) отказываются работать с модулями памяти, у которых отсутствует правильно запрограммированная EEPR OM-память: 1) EEPROM может быть некорректно запрограммирован производителем; 2) чипсет под управлением некорректного BIOS может неправильно установить параметры системы.

Для исключения ошибок функционирования Intel установил единые правила для всех производителей. Каждый производитель обязан внести информацию о себе в в байты 61-127 EEPROM Приводим таблицу идентификации байтов информации, хранимых в EEPROM (таблица №4).

ТАБЛИЦА №4.

Byte Number | Function | Required/ Optional
0 | Defines # of bytes written Into serial memoryat module manufacturer | Required
1 | Total # of bytes of SPD memory device | Required
2 | Fundamental memory type (FPM, EDO, SDRAM..) from Appendix A | Required
3 | # of row addresses on this assembly (Includes Mixed-size Row addr) | Required
4 | # Column Addresses on this assembly (includes Mixed-size Col addr) | Required
5 | # Module Rows on this assembly | Required
6 | Data Widht of this assembly | Required
7 | Data Width continuation | Required
8 | Voltage interface standard of this assembly | Required
9 | SDRAM Cycle time, CL=X (highest GAS latency) | Required
10 | SDRAM Access from Clock (highest CASlatency) | Required
11 | DIMM Configuration type (non-parity, ECC) | Required
12 | Refresh Rate/Type | Required
13 | Primary SDRAM Width | Required
14 | Error Checking SDRAM width | Required
15 | Minimum Clock Delay Back to Back Random Column Address) | Required*
16 | Burst Lengths Supported | Required*
17 | # of Banks on Each SDRAM Device | Required*
18 | CAS# Latencies Supported | Required*
19 | CS# Latency | Required*
20 | Write Latency | Required*
21 | SDRAM Module Attributes | Required*
22 | SDRAM Device Attributes: General | Required*
23 | Min SDRAM Cycle time atCL X-1 (2nd highestCAS latency) | Required*
24 | SRAM Access from Clock atCL X-1 (2nd highest CAS latency) | Required*
25 | Min SDRAM Cycle time atCL X-2 (3rd highest CAS latency) | Optional*
26 | Max SDRAM Access from Clock atCL X-2(3ndhighest CAS latency) | Optional *
27 | Min Row Precharge Time (Tip) | Required*
28 | Min Row Active to Row Active (Trrd) | Required*
29 | Min RAS to CAS Delay (Tfcd) | Required*
30 | Minimum RAS Pulse Width (Tras) | Required*
31 | Density of each row on module (mixed, non-mixed sizes) | Required
32-61 | Superset Information (may be used in future) |
62 | SPD Data Revision Code | Required
63 | Checksum for bytes 0-62 | Required
64-71 | Manufacturer's JEDEC ID code per JEP-108E | Optional
72 | Manufacturing. Location | Optional
73-90 | Manufacturer's Part Number | Optional
91-92 | Revision Code | Optional
93-94 | Manufacturing Date | Optional
95-98 | Assembly Serial Number | Optional
99-125 | Manufacturer Specific Data | Optional
126 | Intel specification frequency | Required
127 | Intel Specification CAS# Latency support | Required
128+ | Unused storage locations |

* Reuired/Optional are SDRAM only bytes

Одна из самых важных характеристик для пользователя это производительность памяти, которая определяется скрытым состоянием CAS CL и описывается двумя байтами 18-м и 27-м. Не менее важным параметром является и тип памяти, определяющийся байтом 2. Если в этом байте находится 02hex, то память EDO, если 04hex - SDRAM . Фактическая скорость DIMM содержится в байте 126. Для тактовой частоты 100MHZ его значение должно быть 64hex. В случае, если значение 66hex - данный DIMM 66MHZ. Номер SPD-EEPROM версии находится в байте 62. Текущей версией является 1.2 (декабрь 1997г .).

В соответствии с техническими требованиями Intel SPD EEPROM должна быть корректно запрограммирована производителем, и никогда не меняться. Поэтому при обычной работе с SDRAM-модулем возможность случайного стирания или изменения данных исключена. Это своего рода страховка от использования медленных DIMM-модулей в системах Intel. Однако, несмотря на все предосторожности, производители записывают в EEPROM данные с заведомо внесенной в них ложной информацией. EEPROM подобен бумаге, на которой может быть написано все что угодно.

Технология изготовления модулей памяти спецификации PC100 достаточно сложна. Поэтому круг производителей качественных SDRAM модулей узок. При изготовлении SDRAM PC100 DIMM-модулей от производителя требуется:

Выполнить печатную плату PCB в соответствии с рекомендациями Intel, которые предусматривают строгий контроль всех типоразмеров.

Обеспечить расположение чипов SDRAM на PCB таким образом, чтобы длины путей от контактов разъема до контактов микросхем незначительно отличались и были привязаны к длине пути тактового импульса. (Электрический сигнал проходит по контакту приблизительно 20см за 1ns при коэффициенте укорочения длины волны 1.5).

Согласовать входные сопротивления путем установления на плате подавляющих (согласующих) резисторов. (Эти меры снижают переотражения сигнала в цепях).

Изготовить шестислойную печатную плату с детальным описанием места расположения каждого слоя в толще стеклотекстолита и размещение замкнутых контуров земли по периметру каждого слоя. (Эти меры обеспечивают контроль волновых сопротивлений и емкостей платы и снижают интерференционные проникновения сигналов из слоя в слой).

Выполнить соединения между элементами на РСВ дорожками определенной ширины и обеспечить разрешенное расстояние между ними.

Обеспечить установку чипов SDRAM на РСВ, отвечающих спецификации РС100 и имеющих минимальный разброс параметров.

Обеспечить покрытие контактов DIMM слоем золота не менее 2 микрометров.

В соответствии с техническими требованиями Intel плата РСВ SDRAM PC100-модуля должна быть маркирована как PCSDRAM-REV#.#. Обозначение символов #.# - номер версии спецификации, которая использовалась во время разработки и производства платы РСВ. Спецификация (REV1.0) самая современная и была принята только в феврале 1998 г. К этому моменту многие производители уже выпустили большое количество DIMM-модулей, отвечающих спецификации REV 0,9 (октябрь 1997г.). Эти SDRAM-модули предназначались для работы только в системах с частотой шины 66 MHZ. Поэтому, наклейка или надпись, выполненная краской на РСВ, не даст Вам полной уверенности, что данный DIMM-модуль 100-мегагерцовый (фото1).

В свою очередь самые жесткие требования фирма Intel предъявляет и к компонентам SDRAM, из которых выполнен модуль памяти SDRAM PC100. Intel опубликовала список производителей, чипы которых прошли тестирование и могут называться 100-мегагерцовыми. Ниже приведена таблица этих производителей.

Производитель | Префикс | Производитель | Префикс
Fujitsu | MB | Hitachi | HM
Hyundai | HY | IBM | IBM
LG Semicondactor | GM | Micron | MT
Mitsubishi | M5M | Mosel Vitelic | V
NEC | m Pd | Oki | MSM
Samsung | KM | Siemens | HYB
Texas Instruments | TMS | Toshiba | TC
Genesis | GS | Nan Ya | NT
LG | GM | NPNX | NN

На чипах SDRAM, соответствующих спецификации РС100, должна быть наклейка или маркировка, выгравированная непосредственно на самом чипе (фото2).

ФОТО 2.

Если же этих обозначений нет, а Вас уверяют, что SDRAM-модуль 100-мегагерцовый, необходимо провести определение характеристик чипа по обозначению, выгравированному на его корпусе. Для этих обозначений у каждого из производителей есть расшифровка. Чип SDRAM, соответствующий спецификации РС100, должен иметь следующее обозначение:

РС 100 abc def, где

-а- обозначает CL (Cas Latency, рекомендованное для этого модуля. Cas Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть 2 или 3. Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже.

-b- trcd (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число2.

Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. В данном случае для 100MHZ. При разгоне системы, например до 133MHZ, период тактовой частоты укорачивается, и считывание информации об адресе строки или столбца может происходить с ошибкой.

-с- trp - (RAS Precharge Time) - минимальное время в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число 2.

-d- tac (Acess from Clock) максимальное время доступа в наносекундах (ns). Обычно 6 или 7. Оригинальному РС100SDRAM требуется только 6ns для доступа к данным. Однако Intel делает исключение для систем с двумя слотами под DIMM-модули (стандартные М/В имеют 3-4 подобных слота). В двухслотовые системы могут устанавливаться более медленные SDRAM с tac =7ns. Они также являются РС100-совместимыми.

-e- SPD Rev (спецификация команд SPD). Иногда может отсутствовать в обозначениях.

-f- запасной параметр. Всегда=0.

Таким образом, обозначения на чипах, изображенных на фото1, РС-100-322-60, означает, что при 100MHZ тактовой частоты CL=3, trcd=2, trp=2, tac=6ns, параметр SPD Rev отсутствует, f=0.

Параметр CL=3 указывает на то, что на частотах более 100MHZ нет запаса по частоте и чип может давать сбои. При попытке установить CL, равное 2 на частоте 100MHZ система с данными SDRAM также может работать неустойчиво. Полностью правомерно утверждение чем меньше значение CAS для указанной частоты, тем более стабильно на меньшей частоте будет работать чип.

Intel своей спецификацией определил оптимальные параметры для памяти стандарта РС100 (см. таблицу).

Frq. | CL | Trcd | Trp | Trc | Comment
66 MHz | 3 clks | 2 clks | 3 clks | 8 clks |
| 2 clks | 2 clks | 3 clks | 8 clks |
| 2 clks | 2 clks | 2 clks | 7 clks |
100 MHz | 3 clks | 3 clks | 3 clks | 8 clks | Slowest supported
| 3 clks | 2 clks | 2 clks | 7 clks | target
| 3 clks | 2 clks | 3 clks | 8 clks | 2nd choice
| 2 clks | 2 clks | 2 clks | 7 clks | goal

Сравним, к примеру, чипы G-8 и GH (производитель Samsung).

Стандарт SDRAM PC 125 | Стандарт SDRAM PC 100

KM48S8030ST-G8 (8ns) | Frq | CAS |  | KM48S8030ST-GH (10ns) | Frq | CAS
125 | 3 |  | 100 | 2
100 | 3 |  | 83 | 2
83 | 2 |  | 75 | 2
75 | 2 |  | 66 | 2
66 | 2 |  |  |  |

Оба этих чипа полностью отвечают спецификации РС100. Однако, чип GH (10ns) на частоте 100MHZ покажет лучшие характеристики скорости, т.к. CAS=2 и, вероятнее всего, будет устойчиво работать на более высокой частоте с CAS=3. (хотя производитель этого не гарантирует). Несмотря на более низкую скорость работы чипа G8 (8ns) на частоте 100MHZ (CAS=3) , производитель гарантирует его устойчивую работу и на частоте 125MHZ (CAS=3) . Изменяя CAS в меньшую сторону, например, установив CAS=2, можно совсем незначительно увеличить скорость работы системы, но при этом значительно понизить устойчивость ее функционирования и, чем выше частота по сравнению с указанной, тем это правило вернее.

. Приводим таблицу A.C.Timing Parameters из PC SDRAM Specification. Параметры, указанные в таблице, дают полную характеристику SDRAM.

ТАБЛИЦА

5.

100/66 MHz AC Timing Parameters for CL = 2 and 3.

Parameter | Symbol | Speed Grade 66 MHz | Speed Grade 100 MHz | Unit | Notes Ta 0-65C Vcc 3,0v 3.6v
Min | Max | Min | Max
Clock Period | Tclk | 15 |  | 10 |  | ns |
Output Valid From Clock | Tac |  |  |  |  | ns |
CAS# Latency = 2 |  |  | 10 |  | 7.0 | ns | Limited application, 2 banks all outputs switching
CAS# Latency = 2 |  |  | 9.0 |  | 6.0 | ns | LVTTL levels, rated @ 50pf all outputs switching 5.2ns @ Opf
CAS# Latency = 3 |  |  | 9.0 |  | 6.0 | ns | LVTTL levels, rated @ 50pf all outputs switching 5.2ns @ 0 pf
Output Hold From Clock | Toh | 3 |  | 3 |  | ns | 3ns @ 50pf Need 1.8ns @ 0 pf
Uotput Valid to Z | tohz | 3 | 12 | 3 | 9 | ns |
RAS# Precharge Time | Trp | 3/2 |  | 3/2 |  | Tclk | Trp=2 a SPD Option
Activate to Command Delay (RAS# to CAS Delay) | Trcd | 2 |  | 3/2 |  | Tclk | Trp=2 a SPD Option
RAS# Cycle Time | Trc | 8 |  | 8/7 |  | Tclk | 7clks for trp = 2

При установке SDRAM PC100 в систему большое значение для ее успешного функционирования имеет, так называемый, тайминг памяти, который обычно записывается цепочкой CAS-RCD-RP. Как раз число 322, записываемое как 3-2-2 (см. таблицу 5 CAS# - Trcd - Trp ), и дает полную характеристику чипа для данной частоты.

Если Вы используете в Вашей системе SDRAM модули и не уверены, что они отвечают спецификации РС100, лучше всего устанавливать параметр CAS вручную, т.к., при считывании данных из EEPROM, параметр CAS может автоматически установиться CL=2 и на данной частоте система будет работать неустойчиво.

Теперь несколько слов о производителях чипов SDRAM РС100. Одним из первых производителей чипов SD RAM для 100-мегагерцовых систем была фирма Samsung, которая в ноябре 1997 года анонсировала 64МВ SD RAM, соответствующий спецификации РС100. Как правило, чипы марки Sam sung стоят первыми в отчетах Intel о сертификации. Примером может являться чип 64М-8Мх8 KM 4858030ВТ-GL80-1.

KM 4858030ВТ-GL801. | Frq | CAS
100 | 3
83 | 2
75 | 2
66 | 2

В настоящее время у фирмы Samsung имеются чипы G7 (7ns SDRAM PC143), но информация о производителях DIMM-модулей на этих чипах отсутствует.

С 1998 года Samsung Semiconductor, Inc ведет разработку технологии DDR для SDRAM. Эта технология получила название SDRAM II. Это следующее поколение памяти с тактовой частотой шины 100MHZ. Технология DDR (Double Data Rate) удвоения частоты позволит записывать и читать данные с частотой в два раза выше, чем частота шины. Данные будут выбираться по фронтам и срезам тактовых сигналов. Технология DDR удваивает частоту передачи данных в системах 66MHZ до 133MHZ, в системах 100MHZ до 200MHZ и, планируемую в недалеком будущем частоту 150MHZ до 300MHZ.

ТАБЛИЦА 6.

Parameters | Standard SDRAM | Double-Date Rate SDRAM
Density | 64Mb/128Mb/256Mb | 64Mb/128Mb/256Mb/1Gb
Organization | x4/x8/x16 | x4/x8/x16/x32
Memory Bus Clock | Up to 100 MHz | Up to 150 Mhz
Data Bandwidth -Reads -Writes | Up to 800 MB/s - Single Data Rate - Single Data Rate | Up to 2.4GB/s Single Data Rate Single Data Rate
Number of Banks* | 4 | 4
Data I/O | LVTTL/SSTL_3 (Class 1) | SSTL_3 (Class 2)
Package | TSOP - II | TSOP - II/BGA
Supply Voltage | 3.3V | 3.3 V
Refresh* | 4 K (64 ms period) | 4K (64ms period)
Clock Synchronizer | No DLL | DLL for Data Out

Сейчас многие поставщики памяти выдают обычную память SDRAM, как 100-мегагерцовую. От обмана не спасает даже хорошая репутация поставщика. Память РС100 стоит существенно дороже и спрос на нее в настоящее время выше, чем предложение. Наличие наклейки РС100 на DIMM-модуле еще не гарантирует Вам полного соответствия модуля спецификации РС100. При приобретении неоригинального модуля SDRAM РС100 могут возникнуть следующие проблемы, которые определяются ошибками в его исполнении:

Установленные в модуль чипы SDRAM не отвечают спецификации РС100 (разброс параметров чипов, установленных на DIMM, а также использование отбракованных чипов РС100).

РСВ выполнена с нарушениями требований спецификации РС100. На частоте 100MHZ большое значение имеют входные емкости и сопротивления контактов, общий уровень переотражения сигналов, индуктивность дорожек.

EEPROM запрограммирована так, что дает ложную информацию о характеристиках чипов или полностью отключена.

Есть только два метода обнаружить обман: 1) Метод проверки правильного функционирования, SDRAM PC100 в реальных системах, для чего необходимо повысить нагрузочную способность, заполнив все слоты SDRAM модулями памяти и тестировать систему длительное время, изменяя рабочую частоту системы и параметры памяти. Если система сбоев не дает, - SDRAM отвечает спецификации РС100. 2) Тестирование SDRAM-модулей с помощью специализированного тестера памяти. Тестеры памяти для тестирования 100-мегагерцовых DIMM-модулей очень дороги и, вероятнее всего, сборщик компьютеров не сможет позволить себе его приобретение. К примеру, несколько лет назад, когда были проблемы с качественными поставками обычных SIMM-модулей, некоторые компьютерные фирмы приобрели SIMM-тестеры у достаточно известного тайванского производителя измерительных приборов фирмы Chroma (http://www.chroma.com.tw) . Эти тестеры позволяли определить основные характеристики SIMM-модуля и распечатать их на принтере.

Анализируя параметры SIMM-модулей в партии, а также их разброс от образца к образцу, можно было сделать вывод о качестве поставки и соответствии реальных характеристик SIMM-модулей, параметрам декларируемым продавцом. Это помогало избежать ошибок при покупках партий SIMM-модулей. Кроме того, можно было определить неисправный чип в модуле и, при желании, отремонтировать его. Но технология памяти развивалась, совершенствовались и тестеры, увеличилась, соответственно, и их цена. Сейчас стоимость SDRAM PC100-тестера фирмы Chroma более 2500$. Увеличение количества разрядов в тестируемой памяти приводит к увеличению времени тестирования. Для углубленной диагностики SDRAM PC100 на тестере потребуется несколько часов и стоимость подобной диагностики будет высока.

ФОТО 3.

Подпись: Внешний вид тестера Chroma.

Основные характеристики тестера Chroma.

General specifications 320302 SDRAM Memory Test Module
Timing Range (tSAC) | 5nS~30nS
Timing Resolution | 1nS
Address Depth | 4 Gigawords
Date Width | 80 bits
Testing Voltage | 2.5V~4.6V, bounce, cycle
Test Functions | Auto Search/Identify, Control Lines, Address/Data Open/Short, Bit Error, Over Current Detecting, Refresh, Sleep, Burst, Noise, CAS Latency (1,2,3), Serial PD setting (Storage: 2 sets)
Testing Level | Quick, Normal, Extensive, Loop
Display | 122 x 32 Graphic LCD
I/O | Keypad, Buzzer, Parallel Printer Port, RS-232C Interface
PC/Printer Interface | PC DB-9M connector (RS-232 interface) Printer DB-25F connector (Centronics)
Operation Temperature Range | 5 C to 40 C (41 F to 104 F); humidity less than 85 % R.H.
Power Supply | Switching Power Supply,Range: 100~250 Vac, 50~60 Hz

С выходом в мае 1998 года чипсета i440BX, персоналки избавились от наследия старых Pentium'ов: 66Мгц шины памяти. 66Мгц шина удерживала позиции промышленного стандарта в течении 4-х лет. Максимальный разгон шины составлял 83Мгц и основные требования предъявлялись не к памяти, а к периферийным устройствам: особенно страдали жесткие диски. Новая 100мгц шина позволила увеличить скорость обмена с памятью на 33%, но рост производительности ощутили не многие. Главным преимуществом чипсета BX стал делитель частоты шины PCI 1/3. Это послужило толчком к новому витку гонки за мегагерцами. К модулям памяти стали предъявлятся все более жесткие требования, а разгон шины стал давать все больший выигрыш в производительности. Назревали все условия для появления нового, более быстрого типа памяти.

Итак, на рынке появились два конкурирующих стандарта: DR DRAM, продвигаемый Intel и PC133, продвигаемый VIA. До этого, разработчик памяти DR DRAM - Rambus Inc. уже работала с производителями графических чипов. Возможно, кто-то вспомнит видеокарты на чипах Cirrus Logic Laguna GD-5464 и GD-5465, использующих память DR DRAM. Поддержка Intel тоже стала не последним фактором в продвижении стандарта DR DRAM. PC133 просто является разогнанным вариантом PC100.

Rambus является принципиально новым видом памяти, который не совместим с существующими системными платами. Тяжелые времена для этого типа памяти еще не прошли, несмотря на гигантские инвестиции Intel в его поддержку. Возможно это стало одной из крупнейших ошибок микропроцессорного гиганта.

PC133 сразу получила поддержку производителей, поскольку не требовала перестройки производственного процесса и обеспечивала обратную совместимость со всеми чипсетами, что немаловажно для конечных потребителей. Еще один плюс в копилку PC133 - это ее невысокая цена. Несмотря на то, что DR DRAM обеспечивает большую производительность(а в перспективе разрыв возрастет), соотношение цена/качество у PC133 на порядок выше. Оверклокеры тоже остались довольны новой памятью: разгон стал возможен до 150Мгц(иногда выше). Конечно же благодаря вовремя подоспевшим чипсетам от VIA. Чипсеты от Intel с поддержкой DR DRAM оказались не приспособлены к разгону :)

Незначительные различия между PC100 и PC133 стали причинами для обмана потребителей. Старые 10нс чипы стали нестандартно маркироваться, в результате чего последними цифрами в маркировке стали 7 и 8. Зачем приобретать более дорогой модуль PC133 если мой PC100 со временем доступа 7нс тоже сможет работать на 133Мгц? Имеено поэтому и создавался стандарт PC133. Он обеспечивает гарантированную устойчивую работу на 133Мгц не зависимо от маркировки чипов. По-моему, это стоит нескольких лишних долларов.

По мере того, как скорость процессоров росла, скорость шины памяти изменилась незначительно. Шина памяти является самым узким местом в системе, вследствие чего пропадает всякий смысл в приобретении сверхбыстрых процессоров. Посмотрите как изменяется производительность при изменении частоты шины памяти:

Рост суммарной производительности системы эквивалентен разнице между 400Мгц и 500Мгц процессорами. При этом разница в цене процессоров больше, чем в цене PC66 и PC133 модулей памяти. Тем более, что множитель процессоров заблокирован и единственная возможность разгона - поднятие частоты шины.

Конечно же, не многие процессоры способны работать на частоте 133Мгц. Единственный процессор, официально поддерживающий 133Мгц шину - это Pentium III Coppermine. Но и более старые процессоры имеют шанс успешно разогнаться:

P II-400 c 5нс кешем 4*133 = 533Мгц

P II-350 3.5*133 = 466Мгц

Последние чипсеты от VIA имеют асинхронную шину памяти, вследствие чего внешняя частота процессора и памяти могут отличаться на 33Мгц. Это позволяет использовать память PC133 с процессором, работающем на 100Мгц шине. Так P III-450 работет как 4.5*100 с памятью 4.5*133. Следует заметить, что чипсеты от VIA не отличаются рекордной производительностью, но по функциональным возможностям успешно конкурируют с чипсетами производства Intel.

Модули SDRAM имеют время доступа:

12ns максимально до 83Mhz

10ns максимально до 100Mhz

8ns максимально до 125Mhz

7ns максимально до 143Mhz

Все модули PC133 содержат чипы со временем доступа от 7.5нс и меньше, что гарантирует беспроблемную работу на 133Мгц. Модули со временем доступа 7нс вполне работоспособны на 150Мгц. Здесь критерием для выбора становится качество изготовления всего модуля DIMM и имя фирмы-производителя.